[发明专利]一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法无效
| 申请号： | 200910048704.5 | 申请日： | 2009-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101850975A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 高文秀;赵百通 | 申请（专利权）人： | 高文秀 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 上海京沪专利代理事务所(普通合伙) 31235 | 代理人： | 周志宏 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法。其包括以下步骤：将封密式提纯炉内净化，加热熔融封密式提纯炉石墨坩锅内的金属硅；对呈熔融状态的金属硅溶液喷吹预热的O2和Ar混合气体；停止吹入O2和Ar混合气体，通过硅液底部骤冷，使其从底部向上进行定向凝固；硅锭出炉，去四周及头尾完成提纯得到高纯度的多晶硅。与现有技术相比，本发明通过直流电弧放电加热硅熔化成液态，同时底部吹预热的O2和Ar实现搅拌作用，让具有高发挥系数的磷等杂质去除；搅拌时间达到设定值后，从底部向上进行定向凝固，完成了对硅去磷除金属的提纯。本发明是一种低成本、工艺简单、无环境污染问题，改进了硅材料的性能、是一种易于产业化的硅提纯的制作工艺和制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 金属 杂质 提纯 方法 | ||
【主权项】：
一种去除磷和金属杂质的提纯硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：步聚1，将封密式提纯炉内净化，加热熔融封密式提纯炉石墨坩锅内的金属硅；步骤2，对呈熔融状态的金属硅溶液喷吹预热的O2和Ar混合气体；步骤3，停止吹入O2和Ar混合气体，通过硅液底部骤冷，使其从底部向上进行定向凝固；步骤4，硅锭出炉，去头尾完成提纯得到高纯度的多晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高文秀，未经高文秀许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910048704.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种过渡金属硫化物的合成方法
- 下一篇：轻便胶带座
