[发明专利]双功函数半导体装置及其制造方法

摘要

一种双功函数半导体装置及其制造方法。该装置包含：一第一晶体管于一基底的一第一区上，其具有一第一栅极堆叠结构，第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及一第二晶体管于基底的一第二区上，其具有一第二栅极堆叠结构，第二栅极堆叠结构具有一第二有效功函数；其中第一栅极堆叠结构与第二栅极堆叠结构各具有一主介电质、一栅极、与一第二介电顶盖层，且第二栅极堆叠结构还额外具有一第一介电顶盖层；第一介电顶盖层是决定第二介电顶盖层的第二有效功函数；第二介电顶盖层不会对第二栅极堆叠结构的第二有效功函数造成实质影响；以及金属层是与第二介电顶盖层一起决定第一栅极堆叠结构的第一有效功函数。本发明具有优异的半导体性能。

主权项

1.一种双功函数半导体装置的制造方法，该双功函数半导体装置具有一基底，该基底具有一第一区与一第二区，该双功函数半导体装置的制造方法包含：形成一第一栅极堆叠结构于该第一区上，该第一栅极堆叠结构具有一第一有效功函数；以及形成一第二栅极堆叠结构于该第二区上，该第二栅极堆叠结构具有一第二有效功函数；其中该第一栅极堆叠结构与该第二栅极堆叠结构的形成步骤包含：在该基底的该第一区与该第二区上，形成一主介电质；将一第一介电顶盖层选择性地形成于该第二区上，其中该第一介电顶盖层是与该主介电质直接接触，并决定该第二栅极堆叠结构的该第二有效功函数；在该第一区上的该主介电质之上、与该第二区上的该第一介电顶盖层之上，形成一第二介电顶盖层，其中该第二介电顶盖层不会对该第二栅极堆叠结构的该第二有效功函数造成实质影响；以及形成一栅极于该第一区与该第二区上的该第二介电顶盖层之上并与其直接接触，该栅极包含一金属层，其中该金属层是与该第二介电顶盖层一起决定该第一栅极堆叠结构的该第一有效功函数。