[发明专利]一种碳掺杂氧化钛薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种碳掺杂氧化钛薄膜的制备方法，用四异丙醇钛(TTIP)作为前驱物，以大气开放式MOCVD方法在玻璃基片上沉积出5～20μm的碳掺杂氧化钛薄膜。本发明的工艺通过控制载气流速和基片与喷嘴之间的距离，使得在玻璃基片上沉积的碳掺杂氧化钛薄膜解决了光催化剂固载化的问题。在制备过程中通过设置不同工艺参数，可制得不同碳含量的氧化钛薄膜。

主权项

1、一种碳掺杂氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于有下列步骤：第一步：准备基片将玻璃片切割成1cm×1cm小块，然后依次放入到丙酮、乙醇和去离子水中用超声波清洗各15min，清洗后将基片放入到电热恒温干燥箱中烘干备用；干燥条件：干燥温度60～90℃，干燥时间10～30min；第二步：预热大气开放式MOCVD工作环境加热液氮冷阱至喷嘴之间通道的温度至100～180℃；第三步：TTIP放入气化室将TTIP放在气化室中的瓷方舟中，调节气化温度100～180℃；第四步：沉积制碳掺杂氧化钛膜调节氮气流量1. 0～3.0L/min、氮气压力0.4～0.5MPa；调节喷嘴与基片的距离10～30mm；调节电热炉温度350～450℃；接着进行15～60min的沉积制碳掺杂氧化钛膜，制膜结束后，依次关掉加热带控制电源、气化室和电热炉的控制电源、氮气瓶。