[发明专利]有机单分子层修饰中孔硅纳米粒子的方法无效
| 申请号： | 200810201610.2 | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101391771A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 魏良明;张亚非 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种纳米技术领域的有机单分子层修饰中孔硅纳米粒子的方法，中孔硅纳米粒子先用水对中孔硅纳米粒子表面润湿，然后分散在干燥的有机溶剂中，搅拌，加入有机氯硅烷。再搅拌一定时间后，过滤，洗涤、干燥，得到功能化的中孔硅纳米粒子。本发明简单易行，在室温下就可以使反应完成。本发明使中孔硅纳米粒子表面形成有机单分子层，有机单分子层在中孔硅纳米粒子表面覆盖程度高，最高可使100％中孔硅纳米粒子表面被有机单分子层覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 单分子层 修饰 中孔硅 纳米 粒子 方法 | ||
【主权项】：
1、一种有机单分子层修饰中孔硅纳米粒子的方法，其特征在于，先用水对中孔纳米粒子表面润湿，然后分散在干燥的有机溶剂中，第一次搅拌，加入有机氯硅烷，再搅拌，过滤，洗涤、干燥，得到功能化的中孔硅纳米粒子。
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