[发明专利]常压等离子体清洗装置有效
| 申请号： | 200810096574.8 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101308776A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 丁青焕;柳炅昊 | 申请（专利权）人： | K.C.科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B08B7/00;H01J37/32;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;金玉兰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种常压等离子体清洗装置，其包括：连接于交流电源的电源电极，该电源电极呈对应于表面处理对象物的剖面形状并具有可进行电气反应的外表面面积；与所述电源电极的外表面保持间距而设置的接地电极，该接地电极具有可使其与所述电源电极反应而生成的等离子体气体通过的喷射通孔；用于固定所述电源电极与接地电极而使两者维持一定间距的框架，该框架具有连通于所述接地电极的喷射通孔的开放部；和设置于所述框架的气体供给部，以用于向所述电源电极及接地电极之间供给气体。 | ||
| 搜索关键词： | 常压 等离子体 清洗 装置 | ||
【主权项】：
1、一种常压等离子体清洗装置，其特征在于包括：连接于交流电源的电源电极，该电源电极呈对应于表面处理对象物的剖面形状并具有可进行电气反应的外表面面积；与所述电源电极的外表面保持间距而设置的接地电极，该接地电极具有可使其与所述电源电极反应而生成的等离子体气体通过的喷射通孔；用于固定所述电源电极与接地电极而使两者维持一定间距的框架，该框架具有连通于所述接地电极的喷射通孔的开放部；和设置于所述框架的气体供给部，以用于向所述电源电极及接地电极之间供给气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
