[发明专利]表面处理方法、蚀刻处理方法及电子装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810096345.6 | 申请日： | 2008-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276746A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 青木克明;速水直哉;服部圭;冈幸广;金高秀海;长谷川诚 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以在蚀刻处理后立即从被处理物上除去反应生成物和硬掩模等的表面处理方法、蚀刻处理方法、和电子装置的制造方法。所提供的表面处理方法的特征在于，对具有多层膜的被处理物的各层依次进行蚀刻而堆积含有氟化碳的反应生成物时，通过进行氧气等离子体处理来除去上述反应生成物，在上述反应生成物的除去后，使用氟化氢气体来除去含氧化物的反应生成物。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 蚀刻 电子 装置 制造 | ||
【主权项】：
1、一种表面处理方法，其特征在于，包括下述工序：通过进行氧气等离子体处理来除去含氟化碳的反应生成物的工序，该反应生成物是通过依次对基板上具有多层膜的被处理物的各层进行蚀刻而堆积形成的；和在除去所述反应生成物后，使用氟化氢气体来除去含氧化物的反应生成物的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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