[发明专利]溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机EL元件及其所用的衬底无效
| 申请号： | 200810095574.6 | 申请日： | 2003-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101260509A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;川村久幸 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C04B35/01;H05B33/28;H05B33/22;H05B33/14;H01B5/14;H01L51/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;李平英 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机EL元件及其所用的衬底。作成一种烧结体，其含有作为成分的氧化铟、氧化锌、氧化锡的1种以上，在该烧结体中含有氧化铪、氧化钽、镧系氧化物、及氧化铋的任1种以上的金属。在该烧结体上安装背板构成溅射靶。利用该溅射靶通过溅射在给定衬底上制造导电膜。该导电膜维持与过去相同程度的透明性，同时实现大的功函数。使用该导电膜，能够实现空穴注入效率提高的EL元件等。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 烧结 利用 它们 制造 导电 有机 el 元件 及其 所用 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种烧结体，作为成分含有选自氧化铟、氧化锌、氧化锡的1种以上的金属，其中，作为第三成分，含有选自氧化铪、氧化钽、氧化铋或镧系金属氧化物的至少1种以上的金属氧化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于出光兴产株式会社，未经出光兴产株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810095574.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成像装置及其控制方法
- 下一篇：合奏系统
- 同类专利
- 专利分类
