[发明专利]膜状粘接剂及其制造方法以及粘接片和半导体装置无效
| 申请号： | 200810095237.7 | 申请日： | 2004-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101266925A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 增子崇;大久保惠介;畠山惠一;汤佐正己 | 申请（专利权）人： | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/58;H01L21/68;C09J7/00;C09J7/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种膜状粘接剂、贴合该膜状粘接剂和切割胶带而形成的粘接片以及半导体装置，所述膜状粘接剂能够以较极薄晶片的保护胶带或者贴合的切割胶带的软化温度低的温度在晶片背面层积，并且可以降低晶片翘曲等的热应力，可以简化半导体装置的制造工序，进而耐热性及耐湿可靠性也优异。 | ||
| 搜索关键词： | 膜状粘接剂 及其 制造 方法 以及 粘接片 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其包括使用膜状粘接剂将半导体元件和半导体搭载用支撑部件和/或半导体元件彼此间相粘接的工序，其特征在于，所述膜状粘接剂是至少具有粘接剂层的膜状粘接剂，所述粘接剂层含有(A)SP值为10.0～11.0(cal/cm3)1/2、Tg为-20～60℃且重均分子量为10000～200000的聚酰亚胺树脂以及(B)环氧树脂，相对于100重量份所述(A)聚酰亚胺树脂，含有1～50重量份所述(B)环氧树脂，在180℃、5h的条件下将所述膜状粘接剂加热固化后的tanδ峰值温度为-20～60℃，并且将所述膜状粘接剂在180℃、100kcf/cm2下加热压合120秒后的流量为100～1500μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成工业株式会社，未经日立化成工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810095237.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
