[发明专利]蓝－绿色发光半导体及其荧光粉无效
| 申请号： | 200810093758.9 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101271950A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请（专利权）人： | 罗维鸿 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C09K11/79 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200231上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种蓝－绿色发光半导体，其具有一In－Ga－N半导体异质结，且该In－Ga－N半导体异质结被热固性聚合物及具有长波斯托克斯辐射位移的无机荧光粉所组成的转换层所覆盖，其特征在于：该In－Ga－N半导体异质结在近紫外线光谱区发射的波长为λ＝375－405nm，经该转换层发射强烈的转换辐射成波长为λ＝505－515nm，其斯托克斯位移为135－105nm，色座标位于0.15＜x≤0.22，0.55＜y≤0.60的范围，光谱曲线半波宽为λ0.5≤60nm，发光余辉持续时间小于100ns。此外，本发明还揭示一种用于蓝－绿色发光半导体的荧光粉。 | ||
| 搜索关键词： | 绿色 发光 半导体 及其 荧光粉 | ||
【主权项】：
1. 一种蓝-绿色发光半导体，其具有一In-Ga-N半导体异质结，且该In-Ga-N半导体异质结被热固性聚合物及具有长波斯托克斯辐射位移的无机荧光粉所组成的转换层所覆盖，其特征在于：该In-Ga-N半导体异质结在近紫外线光谱区发射一第一波长的光，经该转换层发射强烈的转换辐射成一第二波长的光。
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