[发明专利]处理系统、处理方法和计算机程序有效
申请号: | 200810092098.2 | 申请日: | 2008-03-05 |
公开(公告)号: | CN101260517A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 片冈勇树;山口达也;王文凌;竹永裕一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;H01L21/00;H01L21/205 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘春成 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够容易地调整气体流量的处理系统、处理方法和程序。在立式热处理装置(1)中设有多个向收容半导体晶片(W)的反应管(2)内供给处理气体的气体供给管(16~20)。流量调整部(21~25)控制气体供给管(16~20)的流量。控制部(50)中存储有表示包括处理气体流量的工艺条件以及处理气体的流量与膜厚关系的膜厚流量关系模型。控制部(50)基于在工艺条件下处理半导体晶片(W)的处理结果和膜厚流量关系模型,计算处理气体的流量、控制流量调整部(21~25),将处理气体的流量变更为计算出的处理气体的流量,并对半导体晶片(W)进行处理。 | ||
搜索关键词: | 处理 系统 方法 计算机 程序 | ||
【主权项】:
1.一种处理系统,其特征在于,包括:处理室,收容被处理体;处理气体供给装置,向该处理室内供给处理气体;处理条件存储单元,存储包括从所述处理气体供给装置供给的处理气体的流量的与处理内容对应的处理条件;模型存储单元,存储表示处理气体的流量与处理结果的关系的流量处理结果关系模型;流量计算单元,输入在所述处理条件存储单元所存储的处理条件下处理所述被处理体的处理结果,基于该处理结果和由所述模型存储单元所存储的流量处理结果关系模型,计算处理气体的流量;和处理单元,当由所述流量计算单元计算出处理气体的流量时,将所述处理条件的处理气体的流量变更为由所述流量计算单元计算出的处理气体的流量,对被处理体进行处理。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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