[发明专利]基板的等离子处理装置以及等离子处理方法有效
| 申请号： | 200810090518.3 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101277580A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 宇井明生;市川尚志;玉置直树;林久贵;小岛章弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01J37/32;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 徐申民;张惠萍 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在平行平板型等离子处理装置中具有适于基板加工的离子能量，还可使该离子能量宽度减小来精细控制加工形状的基板的等离子处理装置以及等离子处理方法。等离子处理装置构成为包括：内部保持真空的室；配置于其内部、并构成为在主面上保持要处理的基板的RF电极；以及与该RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RF电极外加规定频率的RF电压的RF电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便其与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置。所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基板的等离子处理装置，其特征在于，具有：内部可保持真空的室；配置于所述室内，并构成为在主面上保持要处理的基板的RF电极；在所述室内与所述RF电极相对配置的对置电极；用于对所述RF电极外加规定频率的RF电压的RF电压外加装置；以及用于对所述RF电极外加规定的脉冲电压以便所述脉冲电压与所述RF电压叠加的脉冲电压外加装置，所述脉冲电压外加装置具有调整所述脉冲电压的所述外加的定时、并设定不外加所述脉冲电压的停止时间的控制机构。
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