[发明专利]半导体集成电路装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810087611.9 | 申请日： | 2008-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101276783A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 西胁智弘;兼子一重;山田哲也;野村洋治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 由于在受光部上形成开口部用的抗蚀剂膜上产生裂纹，使得至无意图的部分的层间绝缘膜被蚀刻。为了对此进行防范，将用作蚀刻掩模的抗蚀剂图案的形状作成使应力分散的形状。由于在将抗蚀剂曝光、显影后实施后烘焙而使抗蚀剂固化，产生应力。为使该应力分散，将抗蚀剂图案的开口部形成为没有角的平面形状。因而，本发明提供一种半导体集成电路装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路装置的制造方法，包括：在含有受光部的半导体基板上形成层间绝缘膜的工序；在所述层间绝缘膜上涂敷抗蚀剂的工序；将所述抗蚀剂形成为抗蚀剂图案的工序；将所述抗蚀剂图案固化的工序；和以所述抗蚀剂图案为掩模将所述层间绝缘膜进行蚀刻的工序，所述制造方法的特征在于，在所述抗蚀剂图案上形成：在所述受光部上没有角的平面形状的开口部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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