[发明专利]电阻式存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200810081250.7 | 申请日： | 2008-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101452943A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 何家骅;赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;H01L27/10;H01L27/115;H01L21/82;G11C13/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式存储器及其制造方法。该电阻式存储器的制造方法包括下列步骤。首先，形成第一导电材料层于基板上。然后，蚀刻第一导电材料层形成一具有第一表面的第一信号线。接着，形成一具有第二表面的存储材料层，存储材料层并通过第一表面接触第二表面与第一信号线耦接。然后，形成第二导电材料层与存储材料层耦接。接着，蚀刻第二导电材料层以形成第二信号线，其中第二表面的面积实质上大于或等于第一信号线与第二信号线重叠区域的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种电阻式存储器，包括：基板；第一信号线，设置于该基板上，该第一信号线具有第一表面；存储单元，具有第二表面，该存储单元通过该第二表面接触该第一表面与该第一信号线耦接；以及第二信号线，设置于该存储单元上并耦接该存储单元，其中该第二表面的面积实质上大于或等于该第一信号线与该第二信号线重叠区域的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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