[发明专利]存储器操作方法有效
| 申请号： | 200810080532.5 | 申请日： | 2008-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN101441895A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 郭明昌 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器的操作方法，该操作方法包括下列步骤：首先，提供一存储器，存储器包括一电荷储存结构。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平高于一擦除电平。然后，注入第二型电荷至电荷储存结构，使存储器的阈值电平低于一设定位电平。接着，注入第一型电荷至电荷储存结构内，使存储器的阈值电平趋近于或等于设定位电平。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储器的操作方法，其特征在于，该方法包括：A、提供一存储器，该存储器包括一电荷储存结构；B、注入第一型电荷至该电荷储存结构内，使该存储器的阈值电平高于一擦除电平；C、注入第二型电荷至该电荷储存结构内，使该存储器的阈值电平低于一设定位电平；以及D、注入第一型电荷至该电荷储存结构内，使该存储器的阈值电平趋近于或等于该设定位电平。
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