[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 200810067161.7 | 申请日： | 2008-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101582446A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 刘长洪;姜开利;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，该半导体层包括一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括各向同性或沿一固定方向取向或不同方向取向排列的多个碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置；其特征在于，该半导体层包括一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括各向同性或沿一固定方向取向或不同方向取向排列的多个碳纳米管。
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