[发明专利]制备超结VDMOS器件的方法

摘要

本发明公开了一种制备超结VDMOS器件的方法，包括：在衬底上外延生长体硅，场区氧化形成场区氧化层；刻蚀形成有源区，在有源区氧化，LPCVD淀积多晶硅，光刻形成栅氧化层，等离子刻蚀多晶硅和氧化层形成栅氧化层；光刻P-区，淡硼注入，形成P阱区，光刻P+区，浓硼注入，形成P-体区；淀积氮化硅硬掩模层，氮化硅光刻，高能硼注入，形成外延层中的P-柱；高温推进，使结深控制在X_jp＝2μm；光刻并进行浓磷注入，对多晶硅和器件源区进行掺杂，形成VDMOS器件源区，通过扩散形成器件有效的MOS沟道区；PECVD淀积硼磷硅玻璃，850度半小时回流；光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层，形成金属布线层，合金，进行背面处理。

主权项

1、一种制备超结VDMOS器件的方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：步骤1、在衬底(1)上外延生长体硅(2)，对外延层(2)的表面进行场区氧化，形成场区氧化层(3)；步骤2、经过光刻刻蚀形成有源区，在有源区氧化，LPCVD淀积多晶硅，光刻形成栅氧化层(4)区域，等离子刻蚀多晶硅(5)和氧化层，形成栅氧化层(4)；步骤3、光刻P-区，淡硼注入，形成P阱区(7)，光刻P+区，浓硼注入，形成P-体区(6)；步骤4、淀积氮化硅硬掩模层(9)，氮化硅光刻，高能硼注入，形成外延层中的P-柱(8)；步骤5、高温度推进，使结深控制在Xjp＝2μm；步骤6、光刻并进行浓磷注入，对多晶硅和器件源区进行掺杂，形成VDMOS器件源区(11)，并通过扩散形成器件有效的MOS沟道区；步骤7、PECVD淀积硼磷硅玻璃(12)，并进行850度半小时回流，使器件表面平坦化；步骤8、光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层(13)，然后形成金属布线层，合金，并进行背面处理。