[发明专利]深紫外光刻制作“T”型栅的方法

摘要

本发明公开了一种深紫外光刻制作“T”型栅的方法，该方法依次为：清洗衬底并进行干燥；涂敷深紫外化学放大光刻胶；采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影，初步形成栅根的光刻胶窗口图形；采用化学缩细溶液，对曝光开出的光刻胶窗口图形进行缩细处理；涂敷电子束抗蚀剂；涂敷深紫外化学放大光刻胶；采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影；采用深紫外光对电子束抗蚀剂进行曝光，并显影，形成栅帽的光刻胶窗口图形；采用金属蒸发的方法淀积栅电极的金属；剥离金属、去胶，完成“T”型栅的制作；该方法使“T”型栅的栅根可以突破光刻版最细线条制作的限制，节省光刻版的制作费用，同时可以使化合物半导体器件的深亚微米加工实现规模化。

主权项

1. 一种深紫外光刻制作“T”型栅的方法，其特征在于：该方法包括下面步骤：步骤1、清洗衬底并进行干燥，步骤2、在干燥后的衬底上涂敷深紫外化学放大光刻胶，步骤3、采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影，初步形成栅根的光刻胶窗口图形，步骤4、采用化学缩细溶液，对曝光显影开出的光刻胶窗口图形进行缩细处理，步骤5、涂敷光刻胶电子束抗蚀剂，步骤6、涂敷深紫外化学放大光刻胶，步骤7、采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影，在化学放大光刻胶上光刻出窗口，步骤8、采用深紫外光对电子束抗蚀剂进行曝光，并显影，形成栅帽的光刻胶窗口图形，步骤9、采用金属蒸发的方法淀积栅电极的金属，步骤10、剥离金属、去胶，完成“T”型栅的制作。