[发明专利]具有掺杂夹层结构的氧化锌基发光器件无效
| 申请号： | 200810050429.6 | 申请日： | 2008-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN101237016A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 夏晓川;杜国同;张源涛;马艳;张宝林 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张景林;刘喜生 |
| 地址： | 130023吉林省*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体发光器件领域，特别是涉及一种具有掺杂夹层结构的ZnO基发光器件。由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层、掺杂夹层构成；掺杂夹层位于衬底和ZnO基材料缓冲层之间，或位于ZnO基材料盖层上面，掺杂夹层材料为GaAs、InP或Zn3As2，其厚度为5～150纳米，采用溅射法、PLD法、MBE法或蒸发法，在400～1000摄氏度退火1～5小时制备得到。掺杂夹层还可以为双条形、数字、字母、汉字、图画或点阵结构。本发明通过引入夹层结构，可以克服ZnO基材料p型掺杂难的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 夹层 结构 氧化锌 发光 器件 | ||
【主权项】：
1、具有掺杂夹层结构的氧化锌基发光器件，由衬底(1)、ZnO基材料缓冲层(2)、ZnO基材料下限制层(3)、ZnO基材料有源层(4)、ZnO基材料上限制层(5)、ZnO基材料盖层(6)构成，其特征在于：在衬底(1)和ZnO基材料缓冲层(2)间具有掺杂夹层(101)，掺杂夹层(101)的材料为GaAs、InP或Zn3As2，其厚度为5～150纳米。
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