[发明专利]改善边缘凹陷的浅槽隔离工艺有效
| 申请号： | 200810044072.0 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101752288A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;丁宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 陈履忠 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善边缘凹陷的浅槽隔离工艺，在传统浅槽隔离工艺生长隔离氧化层之前，先进行一步刻蚀硅片(10)形成硅片台阶(101)，然后将沟槽(102)的两侧壁刻蚀在硅片台阶(101)的两侧壁以内。按照上述方法制造的浅槽隔离结构，其填充氧化硅(14)的边缘将大大改善边缘凹陷结构，尽可能较小了其后形成的金属硅化物可能会沿着边缘凹陷结构向下延伸导致漏电流增大的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 边缘 凹陷 隔离工艺 | ||
【主权项】：
一种改善边缘凹陷的浅槽隔离工艺，其特征是：该工艺包括如下步骤：第1步，采用光刻和刻蚀工艺在硅片(10)上形成台阶结构(101)；第2步，在硅片表面生长一层氧化硅(11)；第3步，在硅片表面再淀积一层氮化硅(12)；第4步，采用光刻和刻蚀工艺在硅片上刻蚀出沟槽(102)，所述沟槽(102)的两侧壁在硅片台阶结构(101)的两侧壁之内，所述沟槽(102)两侧留有残留的硅片台阶结构(103)；第5步，在沟槽(102)的侧壁和底部生长一层氧化硅(13)；第6步，在硅片表面淀积一层氧化硅(14)，该层氧化硅(14)至少将沟槽(102)完全填充；第7步，抛光氧化硅(14)，停在氮化硅(12)上；第8步，去除氮化硅(12)和氧化硅(14)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
