[发明专利]提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200810043943.7 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101740546A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 季伟;季芝慧 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构及其制作方法。其结构顺序为，第一层钛，第二层氮化钛，第三层铝铜，第四层钛，第五层氮化钛；在第二层氮化钛和第三层铝铜之间有一层钛铝合金。本发明可以有效提高提高铝铜布线金属抗电迁移能力。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 铝铜电 迁移 性能 金属 层淀积 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种提高铝铜电迁移性能的金属层淀积结构，其结构顺序为，第一层钛，第二层氮化钛，第三层铝铜，第四层钛，第五层氮化钛；其特征在于，在第二层氮化钛和第三层铝铜之间有一层钛铝合金。
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