[发明专利]增强硅基成像器件紫外响应无机薄膜的制备方法

摘要

增强硅基成像器件紫外响应无机薄膜的制备方法，其特征在于：在光电器件光敏面基片的光入射面采用旋转镀膜的方法生成Zn₂SiO₄∶Mn膜层，该膜层将紫外光转化为可见光；步骤如下：首先将Zn₂SiO₄∶Mn和甲基丙烯酸甲酯配制成溶胶，充分搅拌，然后将溶胶置于光敏面基片，利用旋转镀膜机制得初步薄膜后，再滴入甲苯，继续重复旋转镀膜，剥去甲基丙烯酸甲酯成分，得到Zn₂SiO₄∶Mn膜层。本发明所制备的硅基成像器件紫外响应无机薄膜具有较好的转化效率，其发射波长为525nm，恰好在CCD等探测器的最敏感响应波段；采用的基丙烯酸甲酯既可作粘性溶剂，又可作增透剂，提高了转化效率的同时也增加了薄膜的机械强度。

主权项

1.增强硅基成像器件紫外响应无机薄膜的制备方法，其特征在于：在光电器件光敏面基片的光入射面采用旋转镀膜的方法生成Zn2SiO4∶Mn膜层，该膜层将紫外光转化为可见光；步骤如下：首先将Zn2SiO4∶Mn和甲基丙烯酸甲酯配制成溶胶，充分搅拌，然后将溶胶置于光敏面基片，利用旋转镀膜机制得初步镀膜后，再滴入甲苯，继续重复旋转镀膜，剥去甲基丙烯酸甲酯成分，得到Zn2SiO4∶Mn膜层。