[发明专利]抗等离子体腐蚀的反应室部件、其制造方法以及包含该部件的等离子体反应室有效
| 申请号： | 200810037164.6 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101577211A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 吴万俊;倪国强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/44;H01J37/32;B01J19/02;C04B35/505;C04B35/64;C04B37/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201201上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于等离子体反应室的抗等离子体腐蚀的反应室部件，由氧化钇材料和少量掺杂元素制成，其具有小于10欧姆-厘米的电阻率，可以被用作反应室的射频通道。在本发明的另一实施例中，所述反应室部件至少包括连接在一起的第一导电基体及第二导电基体，所述第二导电基体由氧化钇材料和少量掺杂元素经过烧结或热压制成，并具有低于10欧姆-厘米的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 腐蚀 反应 部件 制造 方法 以及 包含 | ||
【主权项】：
1.一种用于等离子体反应室的抗等离子体腐蚀的反应室部件，其至少包含一表面暴露于所述等离子体反应室内产生的等离子体中，所述反应室部件由氧化钇材料和少量掺杂元素制成，并具有低于10欧姆-厘米的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
