[发明专利]一种制作STI的衬氧化层的方法有效
| 申请号： | 200810036583.8 | 申请日： | 2008-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101567329A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;何有丰;白杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅;李时云 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作STI的衬氧化层的方法，STI的衬氧化层制作是在密封装置内在蚀刻好的硅基底上直接氧化制作，它包括以下步骤：1.使密封装置进行初次升温的同时通入惰性气体；2.进入密封装置的再次升温，使其达到制作STI的衬氧化层的温度，同时向所述密封装置内通入惰性气体和氧化气体，生长STI的衬氧化层；3.进行STI的衬氧化层退火，同时向密封装置内通入惰性气体和氧化气体；4.使密封装置进行初次降温，同时向所述密封装置内通入惰性气体和氧化气体；5.进行密封装置的再次降温，同时向所述密封装置内通入惰性气体。该方法可有效解决传统制作方法导致的有源区损伤问题，提高制作效率和衬氧化层的覆盖率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 sti 氧化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作STI的衬氧化层的方法，所述STI的衬氧化层制作是在密封装置内在蚀刻好的硅基底上直接氧化制作，其特征在于，所述制作STI的衬氧化层方法包括以下步骤：步骤1：使密封装置进行初次升温的同时通入惰性气体；步骤2：进入密封装置的再次升温，使其达到制作STI的衬氧化层的温度，同时向所述密封装置内通入惰性气体和氧化气体，生长STI的衬氧化层；步骤3：进行STI的衬氧化层退火，同时向所述密封装置内通入惰性气体和氧化气体；步骤4：使密封装置进行初次降温，同时向所述密封装置内通入惰性气体和氧化气体；步骤5：进行密封装置的再次降温，同时向所述密封装置内通入惰性气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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