[发明专利]一种聚硼硅氮烷先驱体制备方法无效
申请号: | 200810031250.6 | 申请日: | 2008-05-08 |
公开(公告)号: | CN101274941A | 公开(公告)日: | 2008-10-01 |
发明(设计)人: | 王军;唐云;李效东;王浩;王小宙;李文华;王义 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | C07F7/02 | 分类号: | C07F7/02;C07F5/02;C04B35/58 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所 | 代理人: | 宁星耀 |
地址: | 410073湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 一种聚硼硅氮烷先驱体制备方法。本发明以卤硅烷、硼卤烷、小分子二硅氮烷为起始原料,按一定配比混合后,升温至150-500℃,并在此温度下保温2-30小时,降温后减压蒸馏,冷却至室温,即得到聚硼硅氮烷先驱体。本发明制得的聚硼硅氮烷先驱体可以用于制备陶瓷纤维、陶瓷块状材料,陶瓷基复合材料,特别适合于制备透波陶瓷材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 聚硼硅氮烷 先驱 体制 方法 | ||
【主权项】:
1、一种聚硼硅氮烷先驱体制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将硼卤烷和卤硅烷溶解在有机溶剂中;(2)将带搅拌、恒压漏斗、蒸馏装置的反应器反复抽真空、充干燥氮气至少三次,以排除其中的空气和水分,并将反应器预冷至零下2-35℃;(3)将原料硼卤烷、卤硅烷及小分子二硅氮烷按硼卤烷∶卤硅烷∶小分子二硅氮烷=1∶0.1-10∶3-30摩尔比,以滴加的方式加入反应器中,边滴加边搅拌;所述硼卤烷的分子式如下所示: BXaR1 3-a 其中,卤素X=Cl或Br;R1=H、甲基、乙基、丙基、丁基或苯基;a=1、2或3;所述硼卤烷还可以是上述不同取代基的硼卤烷的混合物;所述卤硅烷为烷基卤硅烷,其分子通式为: R2 mR3 nSiR4 (4-m-n) 其中烷基R2及R3=H、甲基、乙基、丙基、丁基或苯基;R2及R3可以相同也可不同;卤素R4=Cl或Br;m及n=0、1、2、3或4,m+n<4;所述卤硅烷还可以是上述不同取代基的卤硅烷的混合物;所述小分子二硅氮烷为烷基硅基二硅氮烷,其分子通式为: (R5 3Si)2NR6 其中R5=H、甲基、乙基、丙基、丁基或苯基;R6=甲基、乙基、丙基、丁基或苯基;所述硼卤烷、卤硅烷和小分子二硅氮烷以滴加的方式加入反应器中为:①先将硼卤烷和卤硅烷混合至反应器中,然后通过滴加的方式加入小分子二硅氮烷;或②先将小分子二硅氮烷加入反应器中,然后通过滴加的方式加入硼卤烷和卤硅烷的混合液于反应器中;(4)滴加完毕后将反应器加热至150-500℃,并在此温度下保温2-30小时;(5)将反应器温度降至室温-350℃,在此温度下减压蒸馏0.2-2小时,除去溶剂、低分子后,将体系降至室温即可得到聚硼硅氮烷先驱体。
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