[发明专利]一种半导体制程缺陷的检测方法及系统有效
| 申请号： | 202110125167.0 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112991259B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 林晧庭;许建东;徐东东;蔡俊郎 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | G06T7/00 | 分类号： | G06T7/00;G06V10/25;G06V10/46;G06V10/764;G06V10/82;G06N3/0464;G06N3/08;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 朱艳 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体制程缺陷的检测方法，所述半导体制程缺陷的检测方法包括：建立数据库，所述数据库中包括多种半导体制程缺陷的图片，并按照半导体制程缺陷的形貌特征，将所述半导体制程缺陷进行分类；扫描晶片，并通过识别所述半导体制程缺陷的形貌特征，在晶片上获得多个预选区域，通过半导体制程缺陷识别系统，提取所述预选区域中所述半导体制程缺陷的图片特征，并识别所述半导体制程缺陷的类型；根据所述半导体制程缺陷的类型，确定扫描机器的最佳扫描参数；根据最佳扫描参数，再次扫描晶片，并识别晶片上所述半导体制程缺陷的类型及位置。通过本发明提供的一种半导体制程缺陷的检测方法，可快速识别所述半导体制程缺陷的类型和位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 缺陷 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
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