[发明专利]沟槽电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 200810001386.2 | 申请日： | 2008-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101226898A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | A·K·钦撒金蒂;金德起;李熙 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/02;H01L27/06;H01L27/108;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽电容器及其制造方法。在由诸如凹隔离或浅沟槽隔离限定的沟槽中，形成电容器的设计结构，其具有用于去耦应用的适当大的值。该电容器提供与有源区共延的接触区域，并可以单独或少量的方式可靠地形成该电容器。优选地，通过延伸到形成电容器板的掺杂扩散区或在形成电容器板的掺杂扩散区之间延伸的注入区来实现板接触。可通过形成隔离结构之后的工艺来形成该电容器，使得可以使用优选的软掩模工艺来形成隔离结构，并且避免了工艺通用性和兼容性限制，同时可以与其他结构的处理一样的方式执行该电容器形成工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造包括去耦电容器的集成电路的方法，所述方法包括步骤：限定芯片的有源区，在与至少一个所述有源区相对应的位置处打开掩模，在所述至少一个有源区处形成沟槽，在所述沟槽中形成板、电容器电介质和结，以及形成到所述板和所述结的连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
