[发明专利]闪速存储器及相关方法有效
| 申请号： | 200780048999.5 | 申请日： | 2007-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101573762A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | D·埃尔姆赫尔斯特;G·桑廷;M·因卡纳蒂;V·莫夏诺;E·多里奥 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 朱海煜;徐予红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一种操作方法中，闪速存储器单元经过编程，字线电压与闪速存储器单元耦合，以及在若干间隔上感测闪速存储器单元的状态，以便生成指明闪速存储器单元的状态的数据。在一种操作方法中，切断NAND闪速存储器的高速缓冲存储器中的锁存器，并且在锁存器被切断的同时来对锁存器进行初始化。读取电压与NAND闪速存储器中的所选闪速存储器单元的栅极耦合，其中所选闪速存储器单元与位线耦合，以及在位线上的电压改变的同时位线与锁存器的输入端耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：对闪速存储器单元编程；将字线电压与所述闪速存储器单元耦合；以及在多个间隔上感测所述闪速存储器单元的状态，以便生成指明所述闪速存储器单元的状态的多个数据。
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