[发明专利]固体成像元件用覆盖玻璃及其制造方法有效

申请号：	200780045536.3	申请日：	2007-12-26
公开（公告）号：	CN101553926A	公开（公告）日：	2009-10-07
发明（设计）人：	中堀宏亮;大川大介;淀川正弘	申请（专利权）人：	日本电气硝子株式会社
主分类号：	H01L27/14	分类号：	H01L27/14;C03C3/091;C03C3/093
代理公司：	北京泛诚知识产权代理有限公司	代理人：	陈波;杨本良
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供一种固体成像元件用覆盖玻璃及其制造方法，设在该覆盖玻璃的透光面的覆盖膜很难轻易地剥离，且该覆盖玻璃实现与基板的足够的粘结面积和粘结强度，并具有高机械强度和高光学性能，尤其安定的化学性能，且洁净度高。本发明的固体成像元件用覆盖玻璃10为无机氧化物玻璃制的薄板状，其特征在于，在厚度方向上相对的两个透光面11、12中的至少一个透光面具有覆盖膜C1、C2，覆盖玻璃10的外周端面由用激光切断的面13、14形成，覆盖膜C1、C2是在激光切断之前成膜。本发明的固体成像元件用覆盖玻璃10的制造方法，具有熔融玻璃原料混合物的工序、获得的熔融玻璃成型为平板玻璃G的工序、在该平板玻璃G的两个透光面11、12中的至少一个透光面形成覆盖膜C1、C2的成膜工序、向在两个透光面11、12中的至少一个透光面具有覆盖膜C1、C2的附带覆盖膜平板玻璃射出激光的射出工序、将射出工序后的平板玻璃分割成小片玻璃的工序。
搜索关键词：	固体成像元件覆盖玻璃及其制造方法
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【主权项】：

1、一种固体成像元件用覆盖玻璃，其是无机氧化物玻璃制的薄板状的固体成像元件用覆盖玻璃，其特征在于，在厚度方向相对的两个透光面中的至少一个透光面具有覆盖膜，所述覆盖玻璃的外周端面由用激光切断的面形成，所述覆盖膜是在激光切断之前形成的。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气硝子株式会社，未经日本电气硝子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780045536.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。

上一篇：一种光学鼠标装置
下一篇：先定时转向再精密跟踪的节电式太阳能跟踪器

同类专利

透镜阵列及其制造方法、固态成像设备和电子设备-201480051607.0
发明人：大塚洋一;西木户健树;葭叶一平 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-09-12 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本技术涉及可在抑制图像质量劣化的同时提高AF性能的透镜阵列及其制造方法、固态成像设备和电子设备。一种透镜阵列包括微透镜，所述微透镜对应于相位差检测像素形成，所述相位差检测像素被设置成混在成像像素中。所述微透镜中的每个被形成为使得其透镜面是基本上球形面，所述微透镜在平面图上具有矩形形状并且四个拐角基本上没有被倒圆，以及在剖视图上包括像素边界部分的对边中心部分的对边边界部分附近的底表面比包括对角边界部分的对角边界部分附近的底表面高。例如，本技术可应用于CMOS图像传感器的透镜阵列。

固态成像器件及其制造方法以及电子设备-201480005896.0
发明人：纳土晋一郎;大塚洋一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本发明涉及固态成像器件及其制造方法以及电子设备，所述固态成像器件被构造为能够使成像像素的倾斜入射光特性和相位差检测像素的AF特性都变得优异。所述固态成像器件包括：以矩阵的方式二维地布置的多个成像像素；和分散在所述成像像素之间的相位差检测像素。所述固态成像器件还包括：第一微透镜，所述第一微透镜以分别对应于所述成像像素的方式而形成；平坦化膜，所述平坦化膜形成在所述第一微透镜上且折射率比第一微透镜的折射率更低；和第二微透镜，所述第二微透镜仅在位于所述相位差检测像素上方的位置处形成在平坦化膜上。本发明例如能够应用于CMOS固态成像器件。

固体光检测器-201780087065.6
发明人：柄泽朋宏;古宫哲夫;森谷直司;广瀬竜太 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2017-02-21 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/14
摘要：在此固体光检测器(10)中，功能层(13)构成为各波面彼此的行进方位和波面形状中的至少一者不一致，以避免各波面互相干涉。

电子元件安装用基板及电子装置-201580033807.8
发明人：坂井光治;山崎将;犬山重俊;新纳范高 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01L27/14
摘要：提供能够提高耐冲击性的电子元件安装用基板及电子装置。电子元件安装用基板(1)具有：将内侧部分作为第1贯通孔(2a)的四边形的框状的第1布线基板(2)；四边形的框状或板状的第2布线基板(6)，被设置成与第1布线基板(2)的下表面重叠，其外缘的1条边位于第1布线基板(2)的外缘的对应的1条边的外侧，并且被电连接至第1布线基板(2)；金属板(4)，被设置成与第2布线基板(6)的下表面重叠，以使得与第1布线基板(2)之间夹持第2布线基板(6)，其外缘位于第1布线基板(2)的外缘的外侧、并且位于第2布线基板(6)的外缘的第1条边的内侧；和作为盖体的透镜支架(5)，将第2布线基板(6)的外缘的1条边侧的部分夹在其间地被固定于金属板(4)的外周部分，以便覆盖第1布线基板(2)及第2布线基板(6)。第1布线基板(2)的框内或第1布线基板(2)及第2布线基板(6)的框内被作为电子元件安装空间(11)。

固态成像元件、其制造方法和电子设备-201480052226.4
发明人：山本雄一;长冈弘二郎 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本公开涉及降低弯曲成像元件成本的固态成像元件、用于制造所述固态成像元件的方法，和电子设备。形成弯曲底座以在中心处弯曲成凹形，而留下很小的边缘。弯曲底座被分成五个部分，包括一个元件放置部分和四个周边部分。该元件放置部分形成为多孔状态。多孔状态下的气孔(气泡)小于像素尺寸。多孔材料例如可使用像陶瓷基材料、金属基材料或树脂基材料这一类的多孔材料。本公开例如可应用于用于成像装置的CMOS固态成像元件。

焦点检测装置和电子设备-201580000816.7
发明人：尾辻弘成 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本技术涉及可以调整位相差检测用像素的感度的最大值和最小值的焦点检测装置和电子设备。所述焦点检测装置包括微透镜；构造成接收经由所述微透镜入射的光的光接收部；设置在所述微透镜和所述光接收部之间并构造成限制所述光接收部上的光量的遮光膜；和垂直于所述遮光膜设置的遮光壁。具有预定高度的所述遮光壁设置在所述光接收部侧和所述微透镜侧中的任一侧或这两侧。本技术可以适用于构造成通过检测位相差来检测焦点的成像装置。

成像元件、电子装置和制造方法-201580001320.1
发明人：中田征志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本发明涉及可以防止与相位差检测像素相邻的像素中的颜色混合并使光接收灵敏度高或更高的成像元件、电子装置和制造方法。防反射膜(91)仅被形成在遮光单元(83)的侧壁上，所述遮光单元(83)阻挡多个像素之中的用于检测相位差的相位差检测像素的光电二极管(85‑1)上的入射光的一部分。因此，在所述遮光单元(83)的所述侧壁处发生反射的光并不进入光电二极管(85‑2)，且因此防止了颜色混合。此外，由于所述防反射膜(91)并未形成在层间膜层(84)上，所以没有减小直接地进入所述光电二极管(85‑1)的光的光接收灵敏度。本发明可应用于成像元件。

摄像模块以及内窥镜-201680090737.4
发明人：山本贤;巢山拓郎;下畑隆博;五十岚考俊;小林裕 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L27/14
摘要：摄像单元(1)具有：摄像单元(20)，其层叠有包含摄像元件(22)在内的多个半导体元件(22～25)；以及框部件(10)，该框部件(10)的中空部(H10)供摄像单元(20)贯穿插入，摄像单元(20)具有与所述摄像元件的主表面垂直的第一侧面(20S1)和与第一侧面(20S1)对置的第二侧面(20S2)，摄像单元(20)的第一侧面(20S1)的四条边中的与所述摄像元件的所述主表面垂直的两条边(20L1、20L2)与框部件(10)的内表面抵接，第二侧面(20S2)与框部件(10)的内表面未抵接。

混合有源矩阵平板检测器系统和方法-201780064388.3
发明人： W.赵;J.朔伊尔曼;A.霍万斯基;R.卢宾斯基;A.戈尔丹;J.斯塔夫罗 -专利权人：纽约州州立大学研究基金会
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L27/14
摘要：一种混合辐射成像传感器包括低x射线衰减基底、被布置在所述基底之上的光电导体，以及被布置在光电导体之上的闪烁体。通过组合在光电导体中向电子‑空穴对的直接x射线转换与闪烁体内在光电导体下游的x射线的间接转换，可以通过位于光电导体和闪烁体二者上游的电子读出装置来得到经改善的x射线成像而无需过度的x射线剂量。

拍摄单元及拍摄装置-201380008289.5
发明人：有马洋文;菅沼亮一;佐藤琢也;铃木智 -专利权人：株式会社尼康
申请日： 2013-02-06 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L27/14
摘要：拍摄单元的特征在于包括：拍摄芯片；以及安装基板，安装有拍摄芯片，具有用于将拍摄芯片生成的信号输出到外部的第一金属层。拍摄装置的特征在于包括拍摄单元，该拍摄单元具有：拍摄芯片；以及安装基板，安装有拍摄芯片，具有用于将拍摄芯片生成的信号输出到外部的第一金属层。

图像拾取元件和图像拾取装置-201480013396.1
发明人：柳田刚志;斋藤卓;小池薰 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本公开的图像拾取元件包含包括受光部和集光部的第一像素和第二像素，所述受光部包括光电转换元件，所述集光部将入射光朝向所述受光部聚集，第一像素和第二像素彼此相邻并且在所述受光部的受光面上均具有台阶部，其中所述台阶部的侧壁的至少一部分覆盖有第一遮光部。

CMOS电子器件与光子器件的垂直集成-201510646898.4
发明人：约翰·达拉萨斯;斯蒂芬·B·克拉苏利克;蒂莫西·克雷亚佐;埃尔顿·马切纳 -专利权人：斯考皮欧技术有限公司
申请日： 2013-01-18 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本发明涉及一种CMOS电子器件与光子器件的垂直集成。具体而言，本发明还涉及一种制造复合半导体结构的方法，该方法包括：提供衬底；提供光子管芯；将所述光子管芯与所述衬底对准；将所述衬底与所述光子管芯结合以形成复合衬底；以及处理所述复合衬底以形成所述光子管芯上的特征，其中处理所述复合衬底在将所述衬底与所述光子管芯结合之后进行。本发明还涉及一种复合半导体器件，其包括：包括波导的衬底；光子管芯，其中所述光子管芯结合至所述衬底；所述光子管芯包括波导；在所述光子管芯结合至所述衬底之后，在所述光子管芯上形成所述光子管芯的所述波导；以及所述光子管芯的所述波导与所述衬底的所述波导光学耦合。

放射线摄像装置及放射线摄像系统-201610212325.5
发明人：铃木正隆;多川元气;近藤弘人;西村晋一;佐藤隆 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2016-04-07 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本发明提供一种放射线摄像装置及放射线摄像系统。所述放射线摄像装置包括：壳体，其包括放射线的入射面；摄像板，其收纳在所述壳体中并且包括用于检测通过所述入射面入射的放射线的有效区域；缓冲件，其布置在所述入射面与所述摄像板之间；以及导电件，其固定到所述缓冲件。在相对于所述入射面的平面图中，所述导电件的边缘围绕所述有效区域的边缘。

一种光敏器件及显示面板、显示装置-201610344361.7
发明人：刘英明;董学;薛海林;王海生;陈小川;丁小梁;杨盛际;许睿;李昌峰;刘伟;王鹏鹏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光敏器件及光敏装置，用以在低温多晶硅薄膜晶体管中实现对光线强弱识别的目的。在本发明中，该光敏器件包括作为控制开关的顶栅型第一薄膜晶体管以及与第一薄膜晶体管连接且作为光敏单元的顶栅型第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管中栅极至少部分透明，且对应第二薄膜晶体管中的部分有源层，以在两个薄膜晶体管同时导通时实现对进入第二薄膜晶体管的光线强弱的识别，另外，第二薄膜晶体管的存在，能够有效区分不同光线照射下输出信号端的电流信号的读取情况，提升该光敏器件的灵敏度。该光敏器件在顶栅型薄膜晶体管中实现了对光线强弱的感应，有效扩展了光敏器件适用范围；而且，其识别效率以及速度相对较高。

固体摄像元件、摄像装置、电子设备和制造方法-201480010499.2
发明人：大冈豊;宫泽信二;前田兼作;山本笃志 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本发明涉及能够抑制固体摄像元件的感光度劣化的固体摄像元件、摄像装置、电子设备以及制造方法。根据本发明的一方面，所述固体摄像元件设置有：传感器部，其用于生成与入射光对应的电信号；彩色滤光片，其盖住所述传感器部；以及透镜，其用于使所述入射光经由所述彩色滤光片而聚集到所述传感器部内，所述透镜由层叠膜形成，所述层叠膜由预定的透镜材料制成。在没有设置用来消除所述彩色滤光片中的台阶的平坦化层的前提下，所述透镜被形成于所述彩色滤光片上。本发明适用于固体摄像元件，还适用于摄像装置和具有摄像部的电子设备。

成像元件、成像设备以及生产设备和方法-201480046376.4
发明人：岩崎正则 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本公开涉及图像拾取设备、图像拾取装置、以及生产装置和方法，凭借该生产装置和方法，可以改善对有机膜的保护性能。根据本公开的图像拾取设备包括：光电转换设备，其对从外部进入的入射光进行光电转换，有机膜，其通过被层压在该光电转换设备的光入射表面侧而形成，以及无机膜，其通过被层压在该有机膜的光入射表面和侧表面上而形成，且密封该有机膜，该有机膜的该侧表面倾斜一角度，在该角度下，通过被层压在该侧表面上而形成的该无机膜的厚度成为预定的厚度。本公开可应用于图像拾取设备、图像拾取装置、图像拾取设备的生产装置，等等。

拍摄装置-201780024488.3
发明人：本田大辅;中野贵司;川端优;泷本贵博;夏秋和弘;內田雅代;内桥正明 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/14
摘要：实现一种具备使偏振特性提高的狭缝型的偏振滤光器的拍摄装置。拍摄装置(100)的偏振部(10)具备隔着电介质层(14)的第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)，在第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的各偏振片层中，形成有沿规定的方向周期性地排列的多个狭缝(13)。第一偏振片层(120a)及第二偏振片层(120b)的形成材料及控制受光部(11)的动作的布线层的形成材料分别为选自Al、Si、Cu、Au、Ag、Pt、W、Ti、Sn、In、Ga、Zn或包含这些元素中的至少一个的化合物或合金的材料。

固体摄像装置-201780007457.7
发明人：横山敏史;西嘉昭;铃木政腾;益田洋司 -专利权人： TOWERJAZZ松下半导体有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L27/14
摘要：一种固体摄像装置，其具有全局快门结构，并包括：受光部(2)；布线层(6)；第一透明绝缘膜(10)，其以贯穿布线层(6)的方式设置在受光部(2)的正上方；透明保护膜(7)，其覆盖布线层(6)的上表面和第一透明绝缘膜(10)的上表面，该透明保护膜(7)的折射率比第一透明绝缘膜(10)的折射率高；第一突起部(8)，其设置在透明保护膜(7)上，该第一突起部(8)呈柱状且该第一突起部(8)的平面形状为四边形；以及第二透明绝缘膜(11)，其折射率比第一突起部(8)的折射率低。

背面入射型能量线检测元件-201480008286.6
发明人：宫崎康人;前田坚太郎;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L27/14
摘要：背面入射型能量线检测元件(1)具备半导体基板(11)和保护膜(21)。半导体基板(11)具有作为能量线入射面的第一主面(11a)、以及与第一主面(11a)相对的第二主面(11b)，并且根据能量线的入射而产生电荷的电荷产生区域(13)设置在第二主面(11b)侧。保护膜(21)以至少覆盖电荷产生区域(13)的方式设置在半导体基板(11)的第二主面(11b)侧，并包含硅氮化物或硅氮氧化物。保护膜(21)具有缓和在保护膜(21)产生的应力的应力缓和部。

单片集成器件和微全分析系统-201680079232.8
发明人：邹泉波 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本发明公开了一种单片集成器件和微全分析系统。该用于感测的单片集成器件包括：微发光二级管；光检测器；以及感测通道，其中，所述微发光二级管与所述感测通道耦合并被配置用于向所述感测通道发射光，以及所述光检测器与所述感测通道耦合并被配置用于感测由所述微发光二极管发射的并传播通过所述感测通道的至少一部分的光。本发明的一个实施例提出了一种新型的具有内建光源和光检测系统的用于感测的单片集成器件。

固态成像装置、其制造方法和电子设备-201480012222.3
发明人：桝田佳明;渡边一史;水田恭平;井上启司;内田博久 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本技术涉及一种可以减少有机材料不均匀涂布的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。所述固态成像装置包括：基板中的有效像素区域，有效像素配置在所述有效像素区域中；所述有效像素区域周围的配线区域，电极或配线设置在所述配线区域中；所述配线区域外侧的周边区域；和在所述基板上形成的膜。所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度，并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。本技术可以适用于例如背面照射型CMOS图像传感器。

近红外线吸收玻璃及其制造方法-201480018208.4
发明人：山崎武志;石田克则 -专利权人：豪雅冠得股份有限公司;青岛豪雅光电子有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本发明提供一种近红外线吸收玻璃及其制造方法。所述近红外线吸收玻璃为一种具备朝向固体摄像元件的光射入的入射面和使光透过并向固体摄像元件射出的出射面，且吸收光的近红外成分的板状的玻璃，其具备：光透过部，其可使光线透过；光散射部，其在入射面以及出射面的至少一个面上，框状包围光线透过部的外周，并使光的一部分散射。

固态成像元件、成像设备和用于制造固态成像元件的方法-201680070203.5
发明人：横川创造 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L27/14
摘要：提出了固态成像元件、成像设备和用于制造固态成像元件的方法，该固态成像设备能够提供具有偏振敏感度的像素，同时抑制对非偏振入射光的敏感度的减小。根据本公开的固态成像元件包括：被包括在多个像素中的光接收元件；以及设置在光接收元件中的至少一些像素的表面上并沿着特定方向延伸的凹槽部分。包括至少相互正交的两个方向的两个或多个方向作为凹槽部分延伸的方向而存在。

固态图像拾取装置、其制造方法及电子设备-201680068343.9
发明人：三岛贤治 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本技术涉及一种可以提高产出的固态图像拾取装置、其制造方法、以及电子设备。该固态图像拾取装置包括：光学传感器，其包括光接收单元；以及盖玻璃，其设置在所述光学传感器的所述光接收单元侧。所述盖玻璃包括位于脊部的倒角部，所述脊部包围所述光学传感器侧的表面。本技术可以应用于例如CMOS图像传感器的封装。

摄像装置-201480023339.1
发明人：藤森纪幸 -专利权人：奥林巴斯株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/14
摘要：摄像装置(1)具有：摄像元件芯片(10A)，以及与摄像元件芯片(10A)的第1主面(10SA)粘接的玻璃罩(30)，其中，所述摄像元件芯片(10A)在第一主面(10SA)上形成有：摄像部(13)；电路部(14)，其具有多个层，所述多个层包含由相对介电常数比氧化硅低的低介电常数材料构成的绝缘层(12C)；以及保护环(16)，其由从耐湿性比低介电常数材料优良的材料中选择的1种以上的材料构成。

固态成像器件封装和制造方法，及电子装置-201680057429.1
发明人：穗刈澄夫;福田圭基 -专利权人：索尼公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本公开涉及能够成像高质量图像的固态成像元件封装、其制造方法及电子器件。该固态成像元件封装设置有：固态成像元件芯片，将透镜获取的光转换为电信号；插入基板，固定固态成像元件芯片；框架，具有围绕固态成像元件芯片并且防止固态成像元件芯片的光接收面被不必要的光照射的框架结构；及光透射防护玻璃，至少保护固态成像元件芯片免受外部环境的影响。在粘结至防护玻璃的框架表面上，具有突出形状的脊部结构形成在框架的开口部的整个周围上。本技术可应用于例如，成像元件芯片密封在其中的固态成像元件封装。

光传感器-201480010902.1
发明人： B·K·尼尔森;J·H·贝切特尔;D·G·麦克米兰;S·D·里斯 -专利权人：金泰克斯公司
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L27/14
摘要：提供了一种光传感器，包括光转换器和与光转换器通信的光‑脉冲电路，光转换器用于在积分周期上积累与入射到其上的光成比例的电荷，光‑脉冲电路操作以输出具有基于由光转换器积累的电荷的脉冲宽度的脉冲。光‑脉冲电路可以包括有助于脉冲的生成的单触发逻辑电路。光传感器可以包括输入/输出垫、在输入/输出垫上提供的用于阻止静电的电容器、在输入/输出垫上提供的用于阻止电磁干扰的输入低通滤波器和/或带隙电压参考电路，带隙电压参考电路连接到电源电压水平在大约3.3V到大约5.0V范围内的电源，并用于遍及电源电压水平范围生成稳定的参考电压。

可回流光电模块-201380018899.3
发明人：哈特穆特·拉德曼;亚历山大·比特斯 -专利权人：赫普塔冈微光有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L27/14
摘要：一种光学近程传感器模块包括衬底、安装在衬底的第一表面上的光发射器及安装在衬底的第一表面上的光检测器，所述光发射器可操作以发射第一波长的光，所述光检测器可操作以检测第一波长的光。模块包括实质平行于衬底安置的光学构件，及分离构件，其中分离构件安置在衬底与光学构件之间。多个模块可能以晶片级工艺制造且可由可回流材料构成，以便模块可更加容易地并入装置中，当模块整合到装置时或在后续制造工艺期间，至少部分地在高温下制造装置。

配线基板及其制造方法-201680040449.8
发明人：土田彻勇起 -专利权人：凸版印刷株式会社
申请日： 2016-07-06 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本发明的目的在于提供一种在形成光透过部时能够抑制基材中裂纹的产生、并且同时具有高的光透过率且可形成微细配线的配线基板及其制造方法。该配线基板包括具有光透过性的基材；在基材的至少一侧层叠金属层和树脂层而成的层叠体；以及设置在层叠体的一部分中的作为开口的光透过部，该配线基板的特征在于限定光透过部的侧面的至少一部分由树脂层构成，在基材的表面附近，金属层的一部分被设置为与构成限定光透过部的侧面的至少一部分的树脂层邻接且包围该树脂层。

固体摄像装置的制造方法及固体摄像装置-201380031682.6
发明人：米田康人;泷泽凉都;石原真吾;铃木久则;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L27/14
摘要：本发明提供一种可容易地进行制造的固体摄像装置的制造方法。固体摄像装置(1)的制造方法包括第1工序，其准备摄像元件(10)，该摄像元件(10)包含入射能量线的主面(S1)、与主面(S1)相对且配置有电极(14)的主面(S2)、及对入射的能量线进行光电转换而产生信号电荷的光电转换部(11)；第2工序，其准备支撑基板(20)，该支撑基板(20)设置有沿厚度方向延伸的至少一个贯通孔(23)且具有相互相对的主面(S3、S4)；第3工序，其以主面(S2、S3)相对且一个电极(14)自一个贯通孔(23)露出的方式对摄像元件(10)与支撑基板(20)进行定位，并接合摄像元件(10)与支撑基板(20)；及第4工序，其在第3工序之后将导电构件(30)埋入至贯通孔(23)内。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

[发明专利]固体成像元件用覆盖玻璃及其制造方法有效

专利文献下载