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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体光检测元件-CN201780014762.9有效
发明人：粕谷立城;河原健志;宫崎康人;前田坚太郎;铃木久则 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：半导体光检测元件(SP1)具备硅基板即半导体基板(1)。半导体基板(1)具有光入射面即第二主面(1b)与相对于第二主面(1b)的第一主面(1a)。在半导体基板(1)中，相应于入射光而产生载流子。在第二主面(1b)形成有多个凸部(10)。凸部(10)具有相对于半导体基板(1)的厚度方向倾斜的斜面(10a)。在凸部(10)中，半导体基板(1)的(111)面露出而作为斜面(10a)。凸部(10)的高度为200nm以上。
半导体检测元件

[发明专利]背面入射型能量线检测元件-CN201480008286.6有效
发明人： 宫崎康人;前田坚太郎;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2014-01-24 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：背面入射型能量线检测元件(1)具备半导体基板(11)和保护膜(21)。半导体基板(11)具有作为能量线入射面的第一主面(11a)、以及与第一主面(11a)相对的第二主面(11b)，并且根据能量线的入射而产生电荷的电荷产生区域(13)设置在第二主面(11b)侧。保护膜(21)以至少覆盖电荷产生区域(13)的方式设置在半导体基板(11)的第二主面(11b)侧，并包含硅氮化物或硅氮氧化物。保护膜(21)具有缓和在保护膜(21)产生的应力的应力缓和部。
背面入射能量检测元件

[发明专利]半导体光检测元件-CN201410320086.6有效
发明人：山村和久;坂本明;永野辉昌;宫崎康人;米田康人;铃木久则;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
半导体检测元件

[发明专利]OCT装置-CN201180007116.2有效
发明人： 宫崎康人;米田康人;铃木久则;村松雅治;渥美利久 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：本发明所涉及的OCT装置的光检测器（PS）具备：硅基板（1），由第1导电类型的半导体所构成、且具有互相相对的第1主面（1a）以及第2主面（1b）、并在第1主面（1a）侧形成有第2导电类型的半导体层（3）；电荷传送电极（5），被设置于第1主面（1a）上并传送所产生的电荷。在硅基板（1）上，在第2主面侧（1b）形成具有比硅基板高的杂质浓度的第1导电类型的积累层（11），并在第2主面（1b）上的至少与半导体区域（3）相对的区域形成不规则的凹凸（10）。在硅基板（1）的第2主面（1b）上的形成有不规则的凹凸（10）的区域光学性地露出。
oct 装置

[发明专利]背面入射型固体摄像元件-CN201080014112.2有效
发明人：铃木久则;米田康人;宫崎康人;村松雅治;山本晃永 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2010-03-24 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该背面入射型固体摄像元件是具备在背面侧具有光入射面的半导体基板(4)、以及设置于半导体基板(4)的与光入射面为相反侧的光检测面的电荷传送电极(2)的背面入射型固体摄像元件，光检测面具有凹凸面。由于光检测面具有凹凸面，因而相对于入射光的相位，由凹凸面反射的光具有分散了的相位差，所以，这些干涉光彼此抵销，抑制了多重干涉现象。因此，根据该背面入射型固体摄像元件，可取得高品质的图像。
背面入射固体摄像元件

[发明专利]半导体光检测元件-CN201080008816.9有效
发明人：山村和久;坂本明;永野辉昌;宫崎康人;米田康人;铃木久则;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。
半导体检测元件

[发明专利]光检测装置-CN200780035850.3有效
发明人：小林宏也;宫崎康人;村松雅治 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种光检测装置，其特征在于：在光检测装置(3)中，以被形成于光检测元件(11)的表面的第1连接焊盘区域(15)露出的方式，将配线基板(12)设置于光检测元件(11)的表面侧，在配线基板(12)上，将第2连接焊盘(17B)形成于比第1连接焊盘(17A)更靠近内侧的区域。由此，在光检测装置(3)中，可以使引线键合的形成空间位于光检测元件(11)的内侧，从而能够将配线基板(12)和光检测元件(11)制成基本相同的尺寸。其结果，在光检测装置(3)中，能够充分确保光检测元件(11)相对于该光检测装置(3)所占的面积，并在将光检测装置(3)可对接(buttable)配置于冷却板(2)时，能够实现非感应区域的缩小。
检测装置

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