[发明专利]化合物半导体发光元件和其制造方法有效
| 申请号： | 200780038051.1 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101523626A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 福永修大;篠原裕直 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供在制造工序中成品率良好、具有优异的发光输出功率的化合物半导体发光元件和其制造方法。本发明的化合物半导体发光元件，由化合物半导体形成的、n型半导体层、发光层和p型半导体层以n型半导体层和p型半导体层夹持发光层的方式层叠在基板上，并具有第1传导型透明电极和第2传导型电极，其特征在于，该第1传导型透明电极是由含有方铁锰矿(Bixbyite)结构In2O3晶体的IZO膜形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种化合物半导体发光元件，由化合物半导体形成的、n型半导体层、发光层和p型半导体层以n型半导体层和p型半导体层夹持发光层的方式层叠在基板上，并具有第1传导型透明电极和第2传导型电极，其特征在于，该第1传导型透明电极是由含有方铁锰矿(Bixbyite)结构In2O3晶体的IZO膜形成的。
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