[发明专利]SOI衬底CMOS工艺电光调制器无效
| 申请号： | 200710179413.0 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101458402A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 陈弘达;黄北举;董赞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器解决了以上两个问题。通过外加反向偏压使调制器中n阱和衬底形成的pn结出现耗尽区，从而改变脊形波导的载流子分布。在反向偏压下，载流子是在强电场的耗尽区中作快速漂移运动，避免了正向注入时载流子的缓慢扩散对调制器响应速度的限制。而且本发明提出的SOI衬底标准CMOS工艺高速电光调制器没有刻蚀过程，其波导包层是通过CMOS工艺中的浅沟隔离层来完成。该调制器中的所有层均采用标准CMOS工艺制作完成，无需更改标准CMOS工艺流程，可在SOI衬底标准CMOS工艺线上流片完成。 | ||
| 搜索关键词： | soi 衬底 cmos 工艺 电光 调制器 | ||
【主权项】：
1、一种SOI衬底CMOS工艺电光调制器，其特征在于，其中包括：一个SOI衬底(11)；一个n阱(18)位于SOI衬底(11)中央；两个n+注入区(17)位于n阱(18)顶部的两侧；两个p阱(19)位于SOI衬底(11)的两侧；两个p+注入区(13)位于p阱(19)的顶部；两个浅沟隔离层(12)夹在n阱(18)和p阱(19)之间；二氧化硅层(14)覆盖在器件顶部；金属层(15)淀积在二氧化硅层(14)上形成金属电极；接触孔(16)将n+注入区(17)及p+注入区(13)连接到金属电极上；一个光学干涉仪(21)。
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