[发明专利]一种结晶硅薄膜的制备方法无效
申请号: | 200710152024.9 | 申请日: | 2007-09-27 |
公开(公告)号: | CN101397694A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 李德杰 | 申请(专利权)人: | 李德杰 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种结晶硅薄膜的制备方法,属于薄膜和太阳能利用技术领域。该方法依次包括:在玻璃衬底或已经沉积有透明导电薄膜的玻璃衬底上沉积一层金属铝、铜、银、铁、钴、镍、镁等的薄膜,继续沉积一层非晶硅薄膜或含氢非晶硅薄膜;将得到的沉积有上述薄膜的玻璃在真空条件下进行退火,退火温度控制在400℃到600℃之间,金属铝、铜、银、铁、钴、镍、镁等的薄膜将扩散到非晶硅或含氢非晶硅薄膜的上面,同时诱导非晶硅或含氢非晶硅薄膜转换为结晶硅薄膜,用酸腐蚀掉铝、铜、银、铁、钴、镍、镁等的薄膜,得到在玻璃衬底或已经沉积有透明导电薄膜的玻璃衬底上的结晶硅薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 结晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种结晶硅薄膜的制备方法,其过程依次包括:在玻璃衬底或已经沉积有透明导电薄膜的玻璃衬底上沉积一层金属铝、铜、银、铁、钴、镍、镁等的薄膜,继续沉积一层非晶硅薄膜或含氢非晶硅薄膜;将得到的沉积有上述薄膜的玻璃在温度400℃到600℃之间进行退火,金属铝、铜、银、铁、钴、镍、镁等的薄膜将扩散到非晶硅或含氢非晶硅薄膜的上面,同时诱导非晶硅或含氢非晶硅薄膜转换为结晶硅薄膜,用酸腐蚀掉铝、铜、银、铁、钴、镍、镁等的薄膜,得到在玻璃衬底或已经沉积有透明导电薄膜的玻璃衬底上的结晶硅薄膜,其特征在于,所述的退火过程是在真空条件下进行的。
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