[发明专利]具有埋入被动元件的基板及其制造方法有效
申请号: | 200710104964.0 | 申请日: | 2007-05-09 |
公开(公告)号: | CN101051615A | 公开(公告)日: | 2007-10-10 |
发明(设计)人: | 王永辉;欧英德;洪志斌 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/488;H05K3/32;H05K1/18 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾高雄*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种具有埋入被动元件的基板,包括:具有第一导电电路的夹层电路板、介电层、第一电极、第二电极以及第二导电电路。其中,介电层设于夹层电路板上,具有第一凹洞与第二凹洞。第一电极设于第一凹洞中;第二电极设于第二凹洞中。该第一与第二电极以及位于第一电极与第二电极间的介电层共同形成一埋入被动元件。第二导电电路电性连接第一电极与第二电极。 | ||
搜索关键词: | 具有 埋入 被动 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造具有埋入被动元件的基板的制程,其特征在于包括下列步骤:提供一夹层电路板,所述夹层电路板具有一第一导电电路;在所述夹层电路板上形成一介电层;在所述介电层内形成一第一凹洞与一第二凹洞;在所述介电层的所述第一凹洞与第二凹洞内填入一导电材料,以形成一第一电极与一第二电极,所述第一电极、所述第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的所述介电层共同构成所述埋入被动元件;以及在所述第一电极与所述第二电极上形成一第二导电电路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710104964.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造