[发明专利]使用自对准处理制造的相变存储器无效
| 申请号： | 200710092323.8 | 申请日： | 2007-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101051646A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | U·G·冯施维林;T·哈普 | 申请（专利权）人： | 奇梦达股份公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;魏军 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种存储器包括按行和列排列的晶体管阵列，和跨过所述阵列按列排列的导电线。存储器包括与所述导电线接触且相对于所述导电线自对准的相变元件。每个相变元件连接到晶体管的源－漏通路的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 对准 处理 制造 相变 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储器，包括：晶体管，按行和列排列以形成阵列；导电线，跨过所述阵列按列排列；和相变元件，与所述导电线接触并与所述导电线自对准，每个相变元件连接到晶体管的源-漏极通路的一侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
