[发明专利]光半导体装置用引线框和使用其的光半导体装置以及它们的制造方法无效
| 申请号： | 200710092180.0 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101159302A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 山田智行;二神友洋;河野惠志郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供光半导体装置用引线框及使用其的光半导体装置，以及它们的制造方法，所述光半导体装置用引线框即使在使用硅氧烷树脂作为密封树脂时，也防止设置于引线框上的镀敷层的变色、变性，防止发光元件发光的反射率降低，由此可长期发挥良好的发光亮度。为此，为了避免在含有混入氯铂酸的硅氧烷树脂的密封树脂14内部，引线框10的纯Ag镀敷层21与硅氧烷树脂直接接触，本发明的构成是，在上述纯Ag镀敷层21表面形成Ag－Au合金镀敷层22。由此，抑制了来源于硅氧烷树脂的固化催化剂的AgCl的产生，防止了Ag镀敷层变成黑褐色。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 引线 使用 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.光半导体装置用引线框，其具有金属芯体和在该金属芯体的至少一部分表面上形成的含有多个镀敷层的镀敷叠层体，其中上述镀敷叠层体包括纯Ag镀敷层和对金属氯化物或金属硫化物的至少任意一方具有化学耐性的耐性镀敷层作为最上层。
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