[发明专利]半导体集成电路及备有该半导体集成电路的系统LSI

摘要

本发明公开了一种半导体集成电路。布置有构成阳极的扩散层5和位于它的左方及右方构成阴极的扩散层4、4来构成二极管D。布置有将阳极、阴极的扩散层4、5的周围包围起来的阱接触2。该阱接触2的长边到阴极扩散层4的距离tS被设定得短一些，短边到阳极、阴极扩散层4、5的距离tL被设定的长一些(tL＞tS)。于是，阳极扩散层5与阱接触2的短边间的电阻值变大，来自阳极扩散层5的电流很难流到阱接触2的短边一侧，便缓和了电流在阳极扩散层5的接触孔3的集中。因此，在包括二极管元件的半导体集成电路中，抑制了电流在阳极端部的阱接触的集中，谋求了二极管元件的可靠性提高。

主权项

1.一种半导体集成电路，包括：包括构成二极管的阳极的第一极性型扩散层和与所述第一极性型扩散层相邻着布置且构成阴极的第二极性型扩散层的二极管、布置在所述二极管周围的第二极性型衬底或者阱接触，所述二极管的第一极性型扩散层、第二极性型扩散层、所述衬底或者阱接触上，分别形成有用以与外部进行电连接的多个接触孔，其特征在于：所述第二极性型的衬底或者阱接触的多个接触孔的布置间距，被设定得比构成所述二极管的阳极的第一极性型扩散层的多个接触孔的布置间距大。