[发明专利]相变化存储器的写入方法与系统无效
| 申请号： | 200710091441.7 | 申请日： | 2007-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN101276643A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 陈明忠;赵得胜;颜辰蒲 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变化存储器的写入方法，包括：对相变化存储器提供第一写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大于第一温度；以及对该相变化存储器提供第二写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大体上维持在第二温度。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 写入 方法 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种相变化存储器的写入方法，包括：对相变化存储器提供第一写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大于第一温度；以及对该相变化存储器提供第二写入脉冲信号，使该相变化存储器的温度大体上维持在第二温度。
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