[发明专利]液晶显示器的半导体结构及其制作方法

摘要

一种半导体结构的制作方法，其先在基板上的有源元件区与储存电容区形成半导体层。形成第一层间介电层以覆盖半导体层。分别在有源元件区与储存电容区上方的第一层间介电层上形成栅极与第一电极。在栅极下方的第一层间介电层作为栅极介电层。进行掺杂工艺以于有源元件区的半导体层中形成源极与漏极。形成第二层间介电层覆盖栅极与第一电极，且于其上形成作为像素电极的图案化导电层。形成图案化的第三层间介电层覆盖图案化导电层，且在第一、第二与第三层间介电层中形成多个接触窗以暴露出源极、漏极、部分图案化导电层与第一电极。于第三层间介电层上形成第二电极电连接第一电极，与源极/漏极导线电连接半导体层与图案化导电层。

主权项

1.一种半导体结构的制作方法，包括：在基板上形成半导体层，所述半导体层位于所述基板的有源元件区以及储存电容区；形成第一层间介电层以覆盖所述半导体层；在所述有源元件区的所述第一层间介电层上形成栅极，并且在所述储存电容区的所述第一层间介电层上形成第一电极；进行掺杂工艺，以于所述有源元件区的所述半导体层中形成源极与漏极，而所述源极与所述漏极之间为沟道区；形成第二层间介电层覆盖所述栅极与所述第一电极；在所述第二层间介电层上形成图案化导电层，以作为像素电极；形成第三层间介电层覆盖所述图案化导电层；图案化所述第三层间介电层，暴露所述图案化导电层，并且在所述第一、第二与第三层间介电层中形成多个接触窗，以暴露出所述源极、所述漏极、部分所述图案化导电层与所述第一电极；以及在所述第三层间介电层上形成第二电极，位于所述第一电极上方且电连接所述第一电极，以及形成源极/漏极导线，电连接所述半导体层与所述图案化导电层。