[发明专利]半导体元件、半导体装置及它们的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710087841.0 申请日: 2007-03-21
公开(公告)号: CN101047123A 公开(公告)日: 2007-10-03
发明(设计)人: 宇都宫纯夫;石黑英人 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 在半导体薄膜的制造方法中,将设置有排列于表面的多个突起部(10)的单晶半导体基板(单晶硅基板2)、与表面堆积有半导体薄膜的透光性基板(4),使相互的表面相对进行结合。对半导体薄膜实施热处理,使半导体薄膜熔融晶体化,在透光性基板(4)上以多个突起部(10)的每一个为起点,形成由多个近似单晶粒(晶体硅16)构成的类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)。将包括类似单晶半导体薄膜(类似单晶硅薄膜20)的透光性基板(4)与单晶半导体基板(单晶硅基板2)分离。由此,提供可获得在透明的绝缘基板上控制了结晶方位的类似单晶半导体薄膜的半导体膜、半导体元件、半导体装置及其制造方法。
搜索关键词: 半导体 元件 装置 它们 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体元件的制造方法,包括:第一工序,准备设置有形成在表面的多个突起部的第一基板、和表面形成有半导体膜的第二基板;和第二工序,在使所述多个突起部与所述半导体膜接触的状态下,对所述半导体膜实施热处理。
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