[发明专利]半导体光电传感器无效
| 申请号： | 200710078982.6 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101026175A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 泷场由贵子;铃永浩;森英之;高桥望 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/10;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明，提供一种半导体光电传感器，包括：形成在半导体衬底的表面部分中的第一光电检测器和第二光电检测器；第一树脂层，其形成在第一光电检测器的光接收区上，并且包括第一光谱灵敏度特性；第二树脂层，形成在第二光电检测器的光接收区上，并且包括第二光谱灵敏度特性；以及运算电路，其在来自第一光电检测器的第一个输出和来自第二光电检测器的第二输出之间执行预定的运算，并且输出该运算的结果，其中第一光谱灵敏度特性是出去短波区中的波长分量的特性，而第二光谱灵敏度特性是出去红外区中的波长分量的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体光电传感器，包括：形成在半导体衬底的表面部分中的第一光电检测器和第二光电检测器；第一树脂层，其形成在所述第一光电检测器的光接收区上，并且包括第一光谱灵敏度特性；第二树脂层，其形成在所述第二光电检测器的光接收区上，并且包括第二光谱灵敏度特性；以及运算电路，其在来自所述第一光电检测器的第一输出与来自所述第二光电检测器的第二输出之间执行预定的运算，并输出该运算的结果，其中所述第一光谱灵敏度特性是除去短波区中的波长分量的特性，所述第二光谱灵敏度特性是除去红外区中的波长分量的特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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