[发明专利]高亮度发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 200710074375.2 | 申请日： | 2007-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101308887A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 江文章;朱源发 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高亮度发光二极管及其制作方法。该高亮度发光二极管包括一发光结构及一透光导电层，该发光结构包括一第一型束缚层、一第二型束缚层及设置在该第一型束缚层与第二型束缚层之间的发光活性层，该透光导电层设置在该第一型束缚层上，该透光导电层上设置有一第一电极，该第二型束缚层上设置有一第二电极，该透光导电层为由金属掺杂的金属氧化物制成的透光导电厚膜，从而该透光导电厚膜与该第一型束缚层之间可以形成良好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 亮度 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高亮度发光二极管，其包括一发光结构及一透光导电层，该发光结构包括一第一型束缚层、一第二型束缚层及设置在该第一型束缚层与第二型束缚层之间的发光活性层，该透光导电层设置在该第一型束缚层上，该透光导电层上设置有一第一电极，该第二型束缚层上设置有一第二电极，其特征在于：该透光导电层为由金属掺杂的金属氧化物制成的透光导电厚膜。
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