[发明专利]碳化硅复相陶瓷的制备方法有效
| 申请号： | 200710067276.1 | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101037335A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 郭兴忠;杨辉;傅培鑫;高黎华;马奇;李海淼 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/626;C04B35/645 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 唐银益 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅复相陶瓷的制备方法，包括由碳化硅和钇铝石榴石组成的复合粉体，先将复合粉体依次采用干压预压和冷等静压终压处理，再将处理后所得的素坯进行真空无压烧结；该复合粉体的重量百分比组成为：85％～95％的碳化硅和5％～15％的钇铝石榴石，其制备过程包括以下步骤：1)将硝酸铝、硝酸钇分别加入去离子水中混合搅拌，再缓慢加入六次甲基四胺溶液，在35～80℃混合搅拌10～20分钟，得到透明溶胶状的钇铝石榴石；2)再加入碳化硅细粉，经50℃～80℃水浴搅拌15～30分钟得复合凝胶；3)待复合凝胶陈化干燥后，在900℃～920℃热处理2～6小时得复合粉体。采用本发明方法制备的碳化硅复相陶瓷，具有较好的力学性能和热学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碳化硅复相陶瓷的制备方法，包括由碳化硅和钇铝石榴石组成的复合粉体，先将复合粉体依次采用干压预压和冷等静压终压处理，再将处理后所得的素坯进行真空无压烧结；其特征是：所述复合粉体的重量百分比组成为：85％～95％的碳化硅和5％～15％的钇铝石榴石；所述复合粉体的制备过程包括以下步骤：1)、将硝酸铝、硝酸钇分别加入去离子水中混合搅拌8～12分钟，所述钇和铝的原子摩尔比为3∶5，所述硝酸铝和硝酸钇的重量之和与去离子水的重量比为2.5～7.7∶100；再缓慢加入六次甲基四胺溶液，在35～80℃混合搅拌10～20分钟，得到透明溶胶状的钇铝石榴石，所述六次甲基四胺溶液与去离子水的重量比为0.25～1∶100；2)、在上述透明溶胶状的钇铝石榴石中加入碳化硅细粉，经50℃～80℃水浴搅拌15～30分钟得到复合凝胶；3)、待上述复合凝胶陈化干燥后，在900℃～920℃热处理2～6小时得到复合粉体。
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