[发明专利]一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法无效
| 申请号： | 200710050348.1 | 申请日： | 2007-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN101230446A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 钟智勇;张怀武;荆玉兰;刘爽;唐晓莉;苏桦;贾利军;金沈贤 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/58;C23C14/08;C23C14/54 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法，属于信息材料技术领域。本发明在基片上制备尖晶石结构铁氧体薄膜之前，先在基片上制备一层Fe3O4缓冲层薄膜，在对尖晶石结构铁氧体薄膜进行退火晶化处理时，利用Fe3O4缓冲层发生从Fe3O4到Fe2O3活性相变所释放的热量促进尖晶石结构铁氧体薄膜的结晶，从而降低尖晶石结构铁氧体薄膜的退火晶化处理温度，使之与现代微电子工艺相兼容；同时，Fe3O4缓冲层属尖晶石结构氧化物薄膜，与尖晶石结构铁氧体薄膜晶格匹配，从而使得Fe3O4缓冲层的引入不影响尖晶石结构铁氧体薄膜良好的电磁特性。本发明可用于制备集成磁性器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 尖晶石 铁氧体 薄膜 材料 退火 温度 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低尖晶石铁氧体薄膜材料退火温度的制备方法，通过如下步骤实现：步骤1.在基片上制备Fe3O4缓冲层薄膜；步骤2.在Fe3O4缓冲层薄膜上溅射尖晶石结构铁氧体薄膜；步骤3.对尖晶石结构铁氧体薄膜进行退火晶化处理；其中，所述步骤3.的退火晶化处理条件为：退火环境为空气环境，退火温度为400-500℃，退火时间为0.5-3小时。
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