[发明专利]侧壁浮栅复位EPROM存储结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200710047240.7 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101414639A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张博;张雄;顾靖 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈 蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种侧壁浮栅复位EPROM存储结构，包括衬底、轻掺杂源/漏区(8)、控制栅(9)、左浮栅(6)、右浮栅(10)、左浮栅绝缘侧壁(4)和右浮栅绝缘侧壁(5)，其中轻掺杂源/漏区(8)分别形成于P型衬底的左上方和右上方；控制栅(9)形成于P型衬底的上端；左浮栅(6)和右浮栅(10)分别形成于控制栅(9)的两侧；左浮栅绝缘侧壁(4)形成于左浮栅(6)的左侧；右浮栅绝缘侧壁(5)形成于右浮栅(10)的右侧。本存储结构能在晶体管尺寸减小的情况下，增加存储单元的容量。 | ||
| 搜索关键词： | 侧壁 复位 eprom 存储 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种侧壁浮栅复位EPROM存储结构，包括衬底、轻掺杂源/漏区(8)和控制栅(9)，其中轻掺杂源/漏区(8)分别形成于P型衬底的左上方和右上方；控制栅(9)形成于P型衬底的上端；其特征在于，所述的EPROM存储结构还包括左浮栅(6)、右浮栅(10)、左浮栅绝缘侧壁(4)和右浮栅绝缘侧壁(5)，其中左浮栅(6)和右浮栅(10)分别形成于控制栅(9)的两侧；左浮栅绝缘侧壁(4)形成于左浮栅(6)的左侧；右浮栅绝缘侧壁(5)形成于右浮栅(10)的右侧。
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