[发明专利]防止非挥发性存储器阵列产生位线干扰的方法有效
| 申请号： | 200710044091.9 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101350221A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 陈德艳;陈良成;刘鉴常 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止非挥发性存储器阵列产生位线干扰的方法，所述的非挥发性存储器阵列由数个包括栅极、源极、漏极的存储单元以阵列形式排列而成，每一行的存储单元的栅极均连接至一字线，每一列的存储单元的源极和漏极分别连接至一位线，且相邻两列存储单元之间共用一条位线，所述方法当某一存储单元在接受编程时，若其它存储单元所连接的两条位线一条处于高电位、一条处于悬空状态时，则对该其它存储单元加载一源极偏置电压和一衬底偏置电压。采用本发明的方法可防止非挥发性存储器阵列产生位线干扰，从而提高存储器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 挥发性 存储器 阵列 产生 干扰 方法 | ||
【主权项】：
1、一种防止非挥发性存储器阵列产生位线干扰的方法，所述的非挥发性存储器阵列由数个包括栅极、源极、漏极的存储单元以阵列形式排列而成，每一行的存储单元的栅极均连接至一字线，每一列的存储单元的源极和漏极分别连接至一位线，且相邻两列存储单元之间共用一条位线，其特征在于：所述方法当某一存储单元在接受编程时，若其它存储单元所连接的两条位线一条处于高电位、一条处于悬空状态时，则对该其它存储单元加载一源极偏置电压和一衬底偏置电压。
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