[发明专利]氮化钛层的制造方法及其装置无效
申请号: | 200710043276.8 | 申请日: | 2007-06-29 |
公开(公告)号: | CN101333641A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 徐锦添 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/22 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种氮化钛层的制造方法及其装置。现有的氮化钛层的制造方法中存在钛金属层从物理气相沉积反应腔转出到化学气相沉积反应腔过程中被氧化的问题。本发明制造氮化钛层的装置,包括物理气相沉积反应腔和物理气相沉积反应腔连接的气体过滤器,其中该气体过滤器还与一氮气供应装置连接。采用本发明的制造氮化钛层的装置,在物理气相沉积反应腔中将钛金属层表面上形成一保护层,该保护层可防止钛金属层从物理气相沉积反应腔转出到化学气相沉积反应腔过程中被氧化。 | ||
搜索关键词: | 氮化 制造 方法 及其 装置 | ||
【主权项】:
1、一种制造氮化钛层的装置,包括物理气相沉积反应腔和物理气相沉积反应腔连接的气体过滤器,其特征在于:该气体过滤器还与一氮气供应装置连接。
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