[发明专利]一种测量气相沉积设备反应腔温度的方法无效
申请号: | 200710041036.4 | 申请日: | 2007-05-22 |
公开(公告)号: | CN101311304A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 崔广学;宋大伟;赵星;李修远 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;G01K13/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种测量气相沉积设备反应腔温度的方法。现有技术通过在反应腔内外均设置温度侦测单元来测量反应腔的温度,存在浪费成本、测温不准以及存有安全隐患的问题。本发明的测温方法先在气相沉积设备反应腔内外分别设置内、外部温度侦测单元;然后改变气相沉积设备的温度且使其涵盖气相沉积设备的容许温度范围,再读取内外部温度侦测单元测得的温度值,并计算出两者的温度偏差值;之后拆卸该内部温度侦测单元,再使用该气相沉积设备进行气相沉积,并读取该外部温度侦测单元测得的温度值;最后依据温度偏差值以及外部温度侦测单元测得的温度值计算出气相沉积设备反应腔的温度。本发明的方法可安全、准确及低成本的测量反应腔的温度。 | ||
搜索关键词: | 一种 测量 沉积 设备 反应 温度 方法 | ||
【主权项】:
1、一种测量气相沉积设备反应腔温度的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)在气相沉积设备反应腔内外分别设置一内部温度侦测单元及外部温度侦测单元;(2)改变气相沉积设备的温度且使其涵盖该气相沉积设备的容许温度范围,再读取内部温度侦测单元和外部侦测单元测得的温度值,并计算出两者的温度偏差值;(3)拆卸该内部温度侦测单元;(4)使用该气相沉积设备进行气相沉积,并读取该外部温度侦测单元测得的温度值;(5)依据温度偏差值以及外部温度侦测单元测得的温度值计算出气相沉积设备反应腔的温度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的