[发明专利]一种测量气相沉积设备反应腔温度的方法无效

专利信息
申请号: 200710041036.4 申请日: 2007-05-22
公开(公告)号: CN101311304A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 崔广学;宋大伟;赵星;李修远 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: C23C16/52 分类号: C23C16/52;G01K13/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 代理人: 王洁
地址: 2012*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种测量气相沉积设备反应腔温度的方法。现有技术通过在反应腔内外均设置温度侦测单元来测量反应腔的温度,存在浪费成本、测温不准以及存有安全隐患的问题。本发明的测温方法先在气相沉积设备反应腔内外分别设置内、外部温度侦测单元;然后改变气相沉积设备的温度且使其涵盖气相沉积设备的容许温度范围,再读取内外部温度侦测单元测得的温度值,并计算出两者的温度偏差值;之后拆卸该内部温度侦测单元,再使用该气相沉积设备进行气相沉积,并读取该外部温度侦测单元测得的温度值;最后依据温度偏差值以及外部温度侦测单元测得的温度值计算出气相沉积设备反应腔的温度。本发明的方法可安全、准确及低成本的测量反应腔的温度。
搜索关键词: 一种 测量 沉积 设备 反应 温度 方法
【主权项】:
1、一种测量气相沉积设备反应腔温度的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)在气相沉积设备反应腔内外分别设置一内部温度侦测单元及外部温度侦测单元;(2)改变气相沉积设备的温度且使其涵盖该气相沉积设备的容许温度范围,再读取内部温度侦测单元和外部侦测单元测得的温度值,并计算出两者的温度偏差值;(3)拆卸该内部温度侦测单元;(4)使用该气相沉积设备进行气相沉积,并读取该外部温度侦测单元测得的温度值;(5)依据温度偏差值以及外部温度侦测单元测得的温度值计算出气相沉积设备反应腔的温度。
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