[发明专利]金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710040427.4 | 申请日： | 2007-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101082124A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 林辉;周圣明;顾书林;张荣;杨卫桥 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/448;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法，其特征在于：将(100)面或(302)面的γ－LiAlO2单晶衬底置于低压—金属有机化学气相沉积系统的载物台上，采用二乙基锌作为锌源，高纯氧作为氧源，高纯氩气作为锌源饱和蒸汽的载气和稀释气体，ZnO薄膜的生长条件如下：二乙基锌起泡器的条件维持在760托，14℃，锌源流量：15～25sccm，O2气流量：100～150sccm，Ar气流量：80～120sccm，O和Zn的摩尔比为80～200，真空室反应气压：80～120Pa，生长温度为400～750℃，生长时间为20～60分钟。本发明可以生长高质量的非极性ZnO薄膜，具有很好的产业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 有机化学 沉积 生长 zno 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法，其特征在于：将(100)面或(302)面的γ-LiAlO2单晶衬底置于低压-金属有机化学气相沉积系统的载物台上，采用二乙基锌作为锌源，高纯氧作为氧源，高纯氩气作为锌源饱和蒸汽的载气和稀释气体，ZnO薄膜的生长条件如下：二乙基锌起泡器的条件维持在760托，14℃，锌源流量：15～25sccm，O2气流量：100～150sccm，Ar气流量：80～120sccm，O和Zn的摩尔比为80～200，真空室反应气压：80～120Pa，生长温度为400～750℃，生长时间为20～60分钟。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
