[发明专利]一种可提高均匀性的栅极氧化层的制作方法无效
| 申请号： | 200710039787.2 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101290882A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杨林宏;陈亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/316;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可提高均匀性的栅极氧化层的制作方法，该栅极氧化层制作在已制成浅沟道隔离结构的硅衬底上，其包括第一氧化层及第二氧化层。现有技术通过一步热氧化法生成栅极氧化层，致使栅极氧化层在浅沟槽隔离结构拐角处的厚度比其他平坦区域薄而易使MOS管从拐角处击穿。本发明的可提高均匀性的栅极氧化层的制作方法先通过热氧化法生成第一氧化层；然后通过化学气相沉积在该第一氧化层上生成第二氧化层。采用本发明的方法可提高栅极氧化层的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 均匀 栅极 氧化 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种可提高均匀性的栅极氧化层的制作方法，该栅极氧化层制作在已制成浅沟道隔离结构的硅衬底上，其包括第一氧化层及第二氧化层，其特征在于，该栅极氧化层的制作方法包括以下步骤：(1)通过热氧化法在硅衬底上生成第一氧化层；(2)通过化学气相沉积在该第一氧化层上生成第二氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
