[发明专利]双极型集成电路互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710037616.6 | 申请日： | 2007-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101017809A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 刘北平 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双极型集成电路互连结构，至少包括下层材料，依次生长在下层材料上的隔离介质层，氮化硅，低温氧化物以及光刻胶，光刻胶中间设有接触孔；其中，氮化硅和低温氧化物的中间设有牺牲层。本发明还提供所述双极型集成电路互连结构的制造方法。与现有技术相比，互连结构中的牺牲层对克服钻蚀现象具有显著的作用，在接触孔的刻蚀中可获得理想的接触孔结构，有助于后序的阻挡层淀积以及金属淀积，有效提高产品的成品率。此外，本发明利用碳氟类气体刻蚀牺牲层，然后利用含氟类气体对氮化硅上的牺牲层进行刻蚀，这样确保每一层介质刻蚀的均匀性，也减小了对下层材料的侵蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 集成电路 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双极型集成电路互连结构，至少包括下层材料，依次生长在下层材料上的隔离介质层，氮化硅，低温氧化物以及光刻胶，光刻胶中间形成有接触孔；其特征在于：氮化硅和低温氧化物的中间设有牺牲层。
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